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　　通過研究連續(xù)Se 離子束輔助磁控濺射技術，在柔性聚酰亞胺基底上沉積形成CIS 薄膜的過程，建立了相應的薄膜沉積模型。在此基礎上，以離子注入深度效應作為研究對象，從擴散均勻性角度進行模擬計算，并與傳統(tǒng)氣相原子沉積方法進行比較。通過比較分析，計算出Se 擴散均勻性為90% 時，采用離子束輔助沉積所需的襯底溫度明顯低于氣相原子沉積所需的襯底溫度。 　　 　　引言 　　 　　傳...