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　　采用中頻反應磁控濺射沉積非晶二氧化硅(a_SiO2)薄膜，用X 射線衍射、原子力顯微鏡、傅里葉紅外光譜等方法研究氧分壓影響退火前、后的兩種SiO2 薄膜樣品的微觀結構、折射率和消光系數等特性的變化規律。結果顯示：室溫下，沉積速率隨氧分壓的增大而減小，有利于提高薄膜的光滑性和致密度；在不同氧分壓下沉積的SiO2 薄膜均為非晶態結構；氧分壓為25%時，薄膜表面具有均勻、光滑、致密的性能特征；折射率...