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固態碳源溫度對法CVD生長石墨烯薄膜影響的研究
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2015-03-25  閱讀

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以聚苯乙烯為固態碳源,拋光銅箔為襯底,通過改變固態碳源的溫度探索了固態碳源溫度對雙溫區化學氣相沉積法生長石墨烯的影響。樣品采用拉曼散射光譜、紫外-可見分光光度計和掃描電子顯微鏡進行了表征。結果表明,固態碳源溫度的變化直接影響了氣相碳源濃度,通過控制固態碳源溫度,可以控制所得石墨烯的層數。固態碳源動態變溫生長能夠在生長的起始階段降低石墨烯形核密度,同時打破晶粒長大時氫氣刻蝕速率與石墨烯生長速率的動態...