真空濺射鍍膜十大工藝特點
【康沃真空網】1、可制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料，包括各種金屬、半導體、鐵磁材料，以及絕緣的氧化物、陶瓷、聚合物等物質，尤其適合高熔點和低蒸汽壓的材料沉積鍍膜;
2、在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積所需組分的混合物、化合物薄膜;
3、在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質與氣體分子的化合物薄膜；
4、控制真空室中的氣壓、濺射功率，基本上可獲得穩定的沉積速率，通過精確地控制濺射鍍膜時間，容易獲得均勻的高精度的膜厚，且重復性好；
5、對于大面積鍍膜，濺射沉積絕對優于其它鍍膜工藝；
6、在真空容器內，濺射粒子不受重力影響，靶材和基板的位置可以自由對齊；
7、濺射粒子幾乎不受重力影響，靶材與基片位置可自由安排:基片與膜的附著強度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會繼續表面擴散而得到硬且致密的薄膜，同時高能量使基片只要較低的溫度即可得到結晶膜;
8、薄膜形成初期成核密度高，10nm以下的極薄連續膜；
9、濺射靶材使用壽命長，可長期連續生產；
10、濺射靶材可制成各種形狀。通過靶材形狀的特殊設計，可以更好地控制濺射過程，最有效地提高濺射效率。
以上是磁控濺射的十大工藝特點， 但是磁控濺射也存在一些需要進一步改善的問題。其中一個主要的問題是靶材的利用率有待提高。實際應用中，圓形的平面陰極靶，靶材的利用率通常小于30%。通過磁場的優化設計可提高靶材的利用率。另外,旋轉靶材的利用率較高，可達到70%-80%以上。
