【康沃真空網】五種濺射鍍膜方法
一、不平衡磁控濺射
不平衡磁控濺射，是指陰極內外磁極部分的磁通量不等。不平衡磁場的作用是捕獲從目標表面逸出的快速移動的二次電子。這些電子與遠離靶材表面的中性氣體原子發生電離碰撞，并在襯底區域產生更多的離子和更多的電子，從而大大增加了襯底離子轟擊。由于不平衡磁控濺射的發展，薄膜的質量大大提高。
二、射頻(RF)濺射
射頻濺射是利用射頻放電等離子體中的濺射靶材轟擊靶材，濺射靶材原子沉積在接地基板表面的技術。將負電位施加到放置在絕緣目標背面的導體上。在輝光放電的等離子體中，當正離子加速到導板時，前絕緣靶受到轟擊和濺射。濺射只能維持10-7秒，之后絕緣靶板上積累的正電子抵消了導體板上的負電位，從而停止了高能正離子對絕緣靶的轟擊。此時，如果電源極性接反，電子將轟擊絕緣板并在10-9秒內中和絕緣板上的正電荷使其為零。而如果再次將電源極性接反，可產生10-7秒的濺射。
三、直流（DC）磁控濺射
磁控濺射鍍膜裝置在直流濺射陰極靶上加上磁場，利用磁場的洛倫茲力束縛和延長電子在電場中的軌跡，增加電子與氣體原子的碰撞機會以及氣體原子的電離，增加了轟擊目標的高能離子，減少了轟擊鍍層基板的高能電子。
四、離子束濺射
離子束濺射(IBS)是一種薄膜沉積技術，它使用離子源將濺射靶材沉積到基板上，以生產具有出色精度的最高質量薄膜。與其他濺射方法相比，離子束濺射精度更高，可以準確控制基板的厚度。通常由離子槍產生的離子束聚焦在濺射靶上，濺射靶材料最終沉積在基板上以形成薄膜。
五、反應磁控濺射
反應濺射是一種通過引入反應氣體（氧氣或氮氣）來沉積化合物薄膜的工藝。它通常用于濺射氧化物、氮化物、碳化物和三者的混合物。
在反應濺射過程中，反應氣體與濺射鍍膜靶發生化學反應，隨后沉積在基板上。反應濺射工藝的目的是制造化學計量和結構受到嚴格控制的薄膜。通過控制惰性氣體和反應性氣體的相對量，可以實現對所得薄膜的組成控制。
