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預(yù)熱處理前驅(qū)體后硫化溫度對Cu2ZnSnS4薄膜性能影響的研究
標(biāo)簽: 熱處理
2015-02-13  閱讀

來源:真空技術(shù)網(wǎng)

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用磁控濺射法在玻璃襯底上沉積Zn/Sn/Cu 前驅(qū)體,在石英管中將前驅(qū)體加熱到350℃預(yù)熱處理30 min,再然后用硫粉作為硫源將預(yù)熱處理后的金屬前驅(qū)體硫化制成Cu2 ZnSnS4(CZTS) 薄膜。研究了不同硫化溫度(500,540 和580℃) 對CZTS 薄膜性能的影響。采用X 射線衍射、喇曼光普儀、掃描電鏡、能譜分析儀、能量散射譜和紫外-可見-近紅外分光光度計(jì)表征薄膜的物相,表面形貌和光學(xué)...