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采用脈沖激光沉積法在SiO2襯底上制備了CuGa0.8Ge0.2 Se2薄膜。采用X 射線衍射和X 射線能譜儀研究了退火溫度對薄膜晶體結(jié)構(gòu)和成分的影響，利用掃描電子顯微鏡表征了薄膜的表面形貌，采用紫外—可見分光光度計分析了薄膜的光學(xué)特性。結(jié)果表明，在CuGaSe2中摻雜Ⅳ族元素Ge，光子吸收能量分別為0.65 和0.92 eV，禁帶寬度為...
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