靶面磁場的分布影響著磁控濺射真空鍍膜機的鍍膜效率，現在已經研發的靶類型已經有很多，如孿生靶、圓柱靶、平面靶等，這些靶的設計都能在不同程度上提高鍍膜效率。
　　
　　對于真空鍍膜設備內的靶分布，曾經靶設計由于覆蓋靶面的磁場無法做到均勻分布，導致產生的等離子體也不均勻，從而影響成膜的均勻性，降低靶材利用率。為了解決此問題，研究人員嘗試把某種鐵磁體放在靶和磁極之間，通過磁性改變磁場分布，使其分布更均勻一些，提高了6%的靶材利用率，這種方法稱為分流設計，但同時卻由于鐵磁體的影響，使靶面的磁場強度降低了，磁通的利用率就沒那么高了。
　　
　　有一種圓形靶的設計，由于普通靶在鍍膜過程中剝蝕后顯示的類似圓形，為了更好的利用靶材，在靶面設計成圓形，與普通靶相比，等量產品的鍍膜，圓形靶所需要的工作電壓、壓強、工件溫度都相對降低，也就是說，同樣條件下，圓形靶的產量更高，而溫度低可增加工件選擇范圍，如熔點低的塑料也可以進行鍍膜。 還有一種是全靶剝蝕的設計，這種靶是矩形的，使用相同的磁極方向和交替排列的磁極方向，把磁路之間的距離和隔離鐵的厚度都加大，這樣相互之前的放電影響就會大大降低，甚至是削除，由此減少工作電壓，通過把磁極的數量增加也可以減少工作壓強。 通過對磁控濺射鍍膜機的靶面磁場分布的調整，可以更有效的利用靶材，對工作電壓壓強降低，大大提高磁控濺射鍍膜的效率。