【康沃真空網】真空鍍膜技術簡稱PVD，在真空條件下，采用物理方法，使材料源表面氣化成原子、分子或離子，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。
蒸發鍍膜技術介紹
真空鍍膜設備鍍膜技術主要分為蒸鍍、濺射和離子鍍三大類。而蒸發鍍膜技術也分為三種，電阻蒸發，電子束蒸發，感應加熱蒸發。三種蒸發鍍膜技術，各自有各自的特點，下面為大家詳細介紹一下這三種鍍膜技術各自的優缺點。
●電阻蒸發鍍膜技術采用電阻加熱蒸發源的蒸發鍍膜技術，一般用于蒸發低熔點材料，如鋁、金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等；加熱電阻一般采用鎢、鉬、鉭等。奇優點，結構簡單，成本低。缺點材料易與坩堝反應，影響薄膜純度，不能蒸鍍高熔點的介電薄膜；蒸發率低。
●電子束蒸發利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發，在基片表面凝結成膜的技術。電子束熱源的能量密度可達104-109w/cm2，可達到3000℃以上，可蒸發高熔點的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、Al2O3等。
電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環行)，電子束自源發出，用磁場線圈使電子束聚焦和偏轉，對膜料進行轟擊和加熱。其優點可蒸發任何材料，薄膜純度高，直接作用于材料表面，熱效率高。缺點電子槍結構復雜，造價高，化合物沉積時易分解，化學比失調。
●感應加熱蒸發，利用高頻電磁場感應加熱，使材料汽化蒸發在基片表面凝結成膜的技術。其優點蒸發速率大，可比電阻蒸發源大10倍左右，蒸發源的溫度穩定，不易產生飛濺現象，坩堝溫度較低，坩堝材料對膜導污染較少。其缺點蒸發裝置必須屏蔽，造價高、設備復雜。
蒸發真空鍍膜設備這三種蒸發鍍膜技術雖然原理都是一樣，都是通過高溫蒸發材質汽化的方式鍍膜，但是所應用的環境卻不一樣，鍍的膜材和基材也有不同的要求。
磁控濺射鍍膜技術介紹
磁控濺射工藝的主要優點是可以使用反應性或非反應性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層，并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械性能等，因此市面上鍍制膜層，對膜層要求比較高，幾乎都采用磁控濺射鍍膜技術來實現。磁控濺射鍍膜技術有一下幾點優勢：
?沉積速率大。由于采用高速磁控電極，可獲得的離子流很大，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比，磁控濺射的產能高、產量大、于各類工業生產中得到廣泛應用。
?功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內的電壓，通常為600V，因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內。
?濺射能量低。磁控靶電壓施加較低，磁場將等離子體約束在陰極附近，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。
?基片溫度低。可利用陽極導走放電時產生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。
?磁控濺射靶表面不均勻刻蝕。磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低（僅20％-30％的利用率）。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率。
?復合靶。可制作復合靶鍍合金膜，目前，采用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、（Tb-Dy）-Fe以及Gb-Co合金膜。復合靶的結構有四種，分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶，其中以扇形鑲嵌靶結構的使用效果為佳。
?應用范圍廣。磁控濺射工藝可沉積元素有很多，常見的有：Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。
真空鍍膜設備磁控鍍膜技術是眾多獲得高質量的薄膜技術當中使用最廣泛的一種鍍膜工藝，膜層類型多樣化，膜層厚度可控性強，膜層附著力高，致密性好，表面光潔度也是非常靚麗。
