微波金屬濺射臺介紹
微波金屬濺射臺介紹
摘要：研發的微波金屬濺射臺已經克服了“跑道效應”，節約靶材和換靶時間；交流輝光濺射的粒子細膩，經微波輸運進一步等離子化后可以進行納米尺度刻蝕槽的充填；膜層之間結合力好，多重膜沉積無剝落；不受磁場控制，可以使用厚靶沉積鐵磁元素；可以進行微量摻雜，具有良好的可控性，特別適合納米量級的膜沉積。合金膜、金屬間化合物膜。多重金屬膜等均可以制造多靶濺射臺完成復雜工藝。是科研創新的有力工具。該設備的微波泄漏率已經超國際標準，達到微瓦級，保證不傷害操作人員?！?br /> 微波金屬濺射臺主要解決可局部刻蝕造成的靶面“跑道效應”、濺射粒子粗糙以及離子輸運過程因為“失能”而使膜表面的“發霧”等問題。使用交流輝光放電從金屬對靶濺射出的粒子遠比各種微弧濺射細膩得多，進入微波場后，因為金屬禁帶寬度窄，容易激發和電離，且微波電離能力強，高達20%以上電離率的含金屬元素等離子體，可以長距離地輸運而不失能，到達基片消電離后形成結合力良好的致密金屬膜，并且等離子體具有z*佳的夾縫充填性能，這在當前特征尺寸已經達到納米級的芯片制造技術方面，具有重要的意義。例如，可以使用貴金屬釕保護硅不受互連金屬銅的侵蝕，銅之上再沉積鎳、鉭等防止大氣的侵蝕，各層金屬之間的結合力良好，我國發展超高集成度的芯片可以使用本工藝。該設備具有獨立的知識產權，現已經獲得國家專利。其重要優點是對環境友好，不使用任何污染氣體。如果使用單位需要回收金屬的納米粒子，我們可以共同開發相應的設備。
微波設備的重要指標是微波泄漏率。該設備使用了我們獨創的結構，泄漏率已經低于毫米瓦級的國際標準，僅為微瓦級，不給操作人員帶來任何傷害。凡是熔點高于700°C的金屬均可以制靶濺射成膜，而且不必使用水冷靶，因此換靶非常容易，將靶插入座上只需幾分鐘。靶的表面整體起輝，不發生局部刻蝕，絕對沒有“跑道效應”，靶材的利用率極高。轟擊電源設有微分滅弧線路，保護靶與轟擊電源，不受突如其來大電流弧光放電的傷害。該設備的離子轟擊是在工頻交流電場的控制下而不使用磁場，因此不必因為鐵磁物質的隔磁作用而使用需要經常更換的薄靶，直接使用厚靶濺射可以提供鐵磁金屬濺射沉積的效率，這在自旋閥、存儲器的制作上具有很大的重要性。
微波金屬濺射臺使用分子泵機組，本底真空度1*10-3Pa，工作真空度10 0~10 2Pa.輸入氣體為兩路質流計控制，工作氣體常用氬，或再加氫氣?；斜Pz*高工作溫度不高于650℃，可以滿足鍍膜和基片的原位退火。有效均溫面積為φ150mm。靶的選擇可以為金屬間化合物或合金，如果希望多種金屬各自按比例共同沉積，我們可以制造多靶濺射臺。對于客戶提出的特殊要求需要大家可以通過協商，由我們研發特制?！ ?br /> 為了推廣該工藝，我們s*先推出科研機，以科研院所、高校為對象。設備結構簡潔明快，操作簡單易行，價格較低，符合當前需要創新單位和實際情況，具有高安全性。我們可以按需要提供金屬靶，如果必須保密也可以按我們的圖紙自行定制。該設備特別適合研究生的培養和本科生的教學，在絕對保障安全的前提下可以完滿地觀測濺射、微波輸運和膜沉積的細節，很直觀，一直可以完成到中試、如果客戶需要生產型設備，敬請聯系我們。青島高校山柏科技有限公司 青島環友等離子技術研究所
電話：0532-82659274 13698671159
Email: jingyi00128@sina.com
網站：http://www.mw-plasmas.cn/
摘要：研發的微波金屬濺射臺已經克服了“跑道效應”，節約靶材和換靶時間；交流輝光濺射的粒子細膩，經微波輸運進一步等離子化后可以進行納米尺度刻蝕槽的充填；膜層之間結合力好，多重膜沉積無剝落；不受磁場控制，可以使用厚靶沉積鐵磁元素；可以進行微量摻雜，具有良好的可控性，特別適合納米量級的膜沉積。合金膜、金屬間化合物膜。多重金屬膜等均可以制造多靶濺射臺完成復雜工藝。是科研創新的有力工具。該設備的微波泄漏率已經超國際標準，達到微瓦級，保證不傷害操作人員?！?br /> 微波金屬濺射臺主要解決可局部刻蝕造成的靶面“跑道效應”、濺射粒子粗糙以及離子輸運過程因為“失能”而使膜表面的“發霧”等問題。使用交流輝光放電從金屬對靶濺射出的粒子遠比各種微弧濺射細膩得多，進入微波場后，因為金屬禁帶寬度窄，容易激發和電離，且微波電離能力強，高達20%以上電離率的含金屬元素等離子體，可以長距離地輸運而不失能，到達基片消電離后形成結合力良好的致密金屬膜，并且等離子體具有z*佳的夾縫充填性能，這在當前特征尺寸已經達到納米級的芯片制造技術方面，具有重要的意義。例如，可以使用貴金屬釕保護硅不受互連金屬銅的侵蝕，銅之上再沉積鎳、鉭等防止大氣的侵蝕，各層金屬之間的結合力良好，我國發展超高集成度的芯片可以使用本工藝。該設備具有獨立的知識產權，現已經獲得國家專利。其重要優點是對環境友好，不使用任何污染氣體。如果使用單位需要回收金屬的納米粒子，我們可以共同開發相應的設備。
微波設備的重要指標是微波泄漏率。該設備使用了我們獨創的結構，泄漏率已經低于毫米瓦級的國際標準，僅為微瓦級，不給操作人員帶來任何傷害。凡是熔點高于700°C的金屬均可以制靶濺射成膜，而且不必使用水冷靶，因此換靶非常容易，將靶插入座上只需幾分鐘。靶的表面整體起輝，不發生局部刻蝕，絕對沒有“跑道效應”，靶材的利用率極高。轟擊電源設有微分滅弧線路，保護靶與轟擊電源，不受突如其來大電流弧光放電的傷害。該設備的離子轟擊是在工頻交流電場的控制下而不使用磁場，因此不必因為鐵磁物質的隔磁作用而使用需要經常更換的薄靶，直接使用厚靶濺射可以提供鐵磁金屬濺射沉積的效率，這在自旋閥、存儲器的制作上具有很大的重要性。
微波金屬濺射臺使用分子泵機組，本底真空度1*10-3Pa，工作真空度10 0~10 2Pa.輸入氣體為兩路質流計控制，工作氣體常用氬，或再加氫氣?；斜Pz*高工作溫度不高于650℃，可以滿足鍍膜和基片的原位退火。有效均溫面積為φ150mm。靶的選擇可以為金屬間化合物或合金，如果希望多種金屬各自按比例共同沉積，我們可以制造多靶濺射臺。對于客戶提出的特殊要求需要大家可以通過協商，由我們研發特制?！ ?br /> 為了推廣該工藝，我們s*先推出科研機，以科研院所、高校為對象。設備結構簡潔明快，操作簡單易行，價格較低，符合當前需要創新單位和實際情況，具有高安全性。我們可以按需要提供金屬靶，如果必須保密也可以按我們的圖紙自行定制。該設備特別適合研究生的培養和本科生的教學，在絕對保障安全的前提下可以完滿地觀測濺射、微波輸運和膜沉積的細節，很直觀，一直可以完成到中試、如果客戶需要生產型設備，敬請聯系我們。青島高校山柏科技有限公司 青島環友等離子技術研究所
電話：0532-82659274 13698671159
Email: jingyi00128@sina.com
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