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　　對于化合物的蒸發鍍，在鍍膜過程中由于高溫的作用下，大部分化合物都會產生分解反應，當沉積到工件表面后會重新發生反應，但卻不能完全變回分解前的等價化合物，一般會產生低價化合物，如三氧化二鋁，被分解后再化合，很容易因為缺氧而形成低價化合物，為了避免這樣的情況發生，一般會在鍍膜時另外通過氧氣來保證有足夠的氧。 所以要鍍制容易分解的化合物，可以通過真空反應蒸發鍍膜技術來實現，鍍材選用低價的化合物或者金屬，在鍍膜時通入活性氣體，和鍍材蒸發進行化學反應，由于鍍制高熔點化合物薄膜所需要的溫度特別高，而過高的溫度容易使化合物分解，所以反應蒸發鍍膜技術常常使用在高熔點化合物薄膜的制備上，如在硅材的蒸發中加入氧氣獲得二氧化硅，在硅材的蒸發中加入乙炔獲得碳化硅，在鋯材的蒸發中加入氮氣獲得氮化鋯，在鋁材的蒸發中加入氬氣和氮氣獲得氮化鋁，在鋁材的蒸發中加入氧氣獲得三氧化二鋁。