【康沃真空網】真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應沉積鍍膜,實際上,這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜.此外,該工藝也特別適合用于多層膜結構的沉積,包括了光學設計、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、超晶格鍍膜、絕緣膜等.早在1970年,已經有了高質量的光學薄膜沉積案例,開發了多種光學膜層材料.這些材料包括有透明導電材料、半導體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等,至于氟化物則多是用在蒸發鍍膜等工藝當中.
磁控濺射工藝的主要優點是可以使用反應性或非反應性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械性能等.該工藝具備以下特點:
1、沉積速率大.由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率.與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產能高、產量大、于各類工業生產中得到廣泛應用.
2、功率效率高.磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內.
3、濺射能量低.磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上.
4、基片溫度低.可利用陽極導走放電時產生的電子,而不必借助基材支架接地來完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜.
5、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕.磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致,靶的局部位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率).因此,想要提高靶材利用率,需要通過一定手段將磁場分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動,也可提高靶材利用率.
6、復合靶.可制作復合靶鍍合金膜,目前,采用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜.復合靶的結構有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結構的使用效果為佳.
7、應用范圍廣.磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見的有:Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等.
