【康沃真空網(wǎng)】近日，美國阿貢國家實(shí)驗(yàn)室納米材料中心Richard D. Schaller團(tuán)隊(duì)與臺灣清華大學(xué)材料科學(xué)工程學(xué)系的林皓武教授團(tuán)隊(duì)合作，使用真空蒸鍍法制作出CsCu 2 I 3 與Cs 3 Cu 2 I 5 薄膜。測試表明這些使用真空蒸鍍法制作的銫銅碘化物薄膜，與其他團(tuán)隊(duì)使用溶液方法合成的銫銅碘化物薄膜或晶體具有相近的放光特性。相比于使用溶液來制作金屬鹵化鈣鈦礦晶體或薄膜的方法，真空蒸鍍法不需使用毒性溶劑(比如二甲基甲醯胺、二甲基亞砜、伽馬丁內(nèi)酯、氯苯等)，整個制作過程對環(huán)境更為友善，并能更精準(zhǔn)的調(diào)控所欲制作的薄膜厚度，使光學(xué)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)更為彈性。
對于所制作的CsCu 2 I 3 與Cs 3 Cu 2 I 5 薄膜，研究者使用了延伸到紫外光波段的飛秒瞬態(tài)吸收光譜術(shù)與皮秒條紋相機(jī)來觀測材料放光的過程。相比先前只在可見光范圍量測瞬態(tài)吸收光譜的研究結(jié)果，延伸到紫外光波段的量測可直接觀測到銫銅碘化物內(nèi)完整的載子動力學(xué)。研究者除了發(fā)現(xiàn)銫銅碘化物先前未被觀察到的自由激子放光、自陷激子放光峰的半高寬與位置會隨時間發(fā)生變化，還進(jìn)一步對瞬態(tài)吸收光譜結(jié)果使用全局?jǐn)M合，萃取出CsCu 2 I 3 與Cs 3 Cu 2 I 5 材料受到光激發(fā)后產(chǎn)生的載子形成自陷激子與各項(xiàng)后續(xù)馳豫過程的時間常數(shù)。
這項(xiàng)工作除了有助于全球的研究者們更加了解銫銅鹵化物材料內(nèi)的放光機(jī)制與過程，更將為未來真空蒸鍍銫銅鹵化物的實(shí)際應(yīng)用與發(fā)展提供堅(jiān)固的基石。
