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美國(guó)造出0.7nm芯片!使用最新的超高真空系統(tǒng)設(shè)計(jì),EUV光刻機(jī)做不到
標(biāo)簽: 超高真空系統(tǒng)
2022-09-27  閱讀

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  【康沃真空網(wǎng)】本周,美國(guó)公司Zyvex使用電子束光刻技術(shù)制造了768皮米,也就是0.7nm的芯片。

  Zyvex推出的光刻系統(tǒng)名為ZyvexLitho1,基于STM掃描隧道顯微鏡,使用的是EBL電子束光刻方式,制造出了0.7nm線寬的芯片,這個(gè)精度是遠(yuǎn)高于EUV光刻系統(tǒng)的,相當(dāng)于2個(gè)硅原子的寬度,是當(dāng)前制造精度最高的光刻系統(tǒng)。

  這個(gè)光刻機(jī)制造出來(lái)的芯片主要是用于量子計(jì)算機(jī),可以制造出高精度的固態(tài)量子器件,以及納米器件及材料,對(duì)量子計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)精度非常重要。

美國(guó)造出0.7nm芯片!使用最新的超高真空系統(tǒng)設(shè)計(jì),EUV光刻機(jī)做不到

  ZyvexLitho1不僅是精度最高的電子束光刻機(jī),而且還是可以商用的,Zyvex公司已經(jīng)可以接受其他人的訂單,機(jī)器可以在6個(gè)月內(nèi)出貨。

  2015年費(fèi)曼獎(jiǎng)得主、硅量子計(jì)算公司的首席執(zhí)行官、新南威爾士大學(xué)量子計(jì)算和通信技術(shù)中心主任Michelle Simmons教授表示,“建立一個(gè)可擴(kuò)展的量子計(jì)算機(jī)有許多挑戰(zhàn)。我們堅(jiān)信,要實(shí)現(xiàn)量子計(jì)算的全部潛力,需要高精度的制造。我們對(duì)ZyvexLitho1感到興奮,這是第一個(gè)提供原子級(jí)精密圖案的商業(yè)化工具。”

  STM光刻技術(shù)的發(fā)明者、2014年費(fèi)曼獎(jiǎng)得主、伊利諾伊大學(xué)教授Joe Lyding表示:“到目前為止,Zyvex實(shí)驗(yàn)室的技術(shù)是最先進(jìn)的,也是這種原子級(jí)精確光刻技術(shù)的唯一商業(yè)化實(shí)現(xiàn)。”

  Zyvex是致力于生產(chǎn)原子級(jí)精密制造工具的納米技術(shù)公司。這個(gè)產(chǎn)品是在DARPA(國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局)、陸軍研究辦公室、能源部先進(jìn)制造辦公室和德克薩斯大學(xué)達(dá)拉斯分校的Reza Moheimani教授的支持下完成的,他最近被國(guó)際自動(dòng)控制聯(lián)合會(huì)授予工業(yè)成就獎(jiǎng),“以支持單原子規(guī)模的量子硅設(shè)備制造的控制發(fā)展”。

  氫去鈍化光刻(HDL):實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和精度

  氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式,它通過(guò)非常簡(jiǎn)單的儀器實(shí)現(xiàn)原子分辨率,并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學(xué)有效地聚焦低能電子和振動(dòng)加熱方法,以產(chǎn)生高度非線性(多電子)的曝光機(jī)制。HDL使用附著在硅表面的單層H原子作為非常薄的抗蝕劑層,并使用電子刺激解吸在抗蝕劑中創(chuàng)建圖案。

  傳統(tǒng)EBL使用大型昂貴的電子光學(xué)系統(tǒng)和非常高的能量(200Kev)來(lái)實(shí)現(xiàn)小光斑尺寸;但是高能電子(獲得小光斑尺寸所必需的)分散在傳統(tǒng)EBL使用的聚合物抗蝕劑中,并分散沉積的能量,從而形成更大的結(jié)構(gòu)。HDL實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)EBL更高的分辨率和精度。

美國(guó)造出0.7nm芯片!使用最新的超高真空系統(tǒng)設(shè)計(jì),EUV光刻機(jī)做不到

  數(shù)據(jù)顯示,光刻膠中的沉積能量不會(huì)下降到光束中心的10%,直到徑向距離約為4nm。

  使用HDL,實(shí)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)能夠暴露比EBL的10%閾值半徑小>10倍的單個(gè)原子。這個(gè)小得多的曝光區(qū)域令人驚訝,因?yàn)镠DL不使用光學(xué)器件,只是將鎢金屬尖端放置在H鈍化硅樣品上方約1nm處。人們會(huì)期望,如果沒(méi)有光學(xué)器件來(lái)聚焦來(lái)自尖端的電子,那么曝光區(qū)域會(huì)更大。

美國(guó)造出0.7nm芯片!使用最新的超高真空系統(tǒng)設(shè)計(jì),EUV光刻機(jī)做不到

距H鈍化硅表面約1nm的W掃描隧穿顯微鏡(STM)尖端

  電子似乎不太可能只遵循暴露單個(gè)H原子所需的實(shí)心箭頭路徑。為了解決這個(gè)謎團(tuán),我們必須了解電子實(shí)際上不是從尖端發(fā)射(在成像和原子精密光刻模式下),而是從樣品到尖端(在成像模式下)或從尖端到樣品(在光刻模式下)模式。使用具有無(wú)限平坦和導(dǎo)電襯底的簡(jiǎn)單模型、STM尖端頂點(diǎn)處單個(gè)W原子的發(fā)射以及簡(jiǎn)化的隧穿電流模型,我們將看到電流隨著隧穿距離呈指數(shù)下降。

  嵌入ZyvexLitho1的是ZyVector。這個(gè)20位數(shù)字控制系統(tǒng)具有低噪音、低延遲的特點(diǎn),使用戶能夠?yàn)楣虘B(tài)量子設(shè)備和其他納米設(shè)備和材料制作原子級(jí)的精確圖案。ZyvexLitho1是一個(gè)完整的掃描隧穿光刻系統(tǒng),具有任何其他商業(yè)掃描隧穿光刻系統(tǒng)不具備的功能:能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)失真成像、自適應(yīng)電流反饋回路、自動(dòng)晶格對(duì)準(zhǔn)、數(shù)字矢量光刻、自動(dòng)化腳本和內(nèi)置計(jì)量。

  不僅如此,完整的ZyvexLitho1系統(tǒng)還包括一個(gè)為制造量子器件而配置的ScientaOmicron超高真空STM(掃描隧穿顯微鏡)。ScientaOmicron的SPM產(chǎn)品經(jīng)理Andreas Bettac博士表示:“在這里,我們將最新的超高真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)和ScientaOmicron的成熟的SPM與Zyvex的STM光刻專用的高精度STM控制器相結(jié)合。我期待與Zyvex繼續(xù)進(jìn)行富有成效的合作。”

  雖然EBL電子束光刻機(jī)的精度可以輕松超過(guò)EUV光刻機(jī),但是,這種技術(shù)的缺點(diǎn)也很明顯,那就是產(chǎn)量很低,無(wú)法大規(guī)模制造芯片,只適合制作那些小批量的高精度芯片或者器件,指望它們?nèi)〈鶨UV光刻機(jī)也不現(xiàn)實(shí)。