【康沃真空網】業內最新消息，昨天韓國總統府辦公室正式宣布，允許三星電子和 SK 海力士無期限向其位于中國的工廠供應來自美國的芯片設備，無需美國單獨批準。
也就是說，以后無需向美國當局申請豁免許可，三星電子和 SK 海力士即可以任意向其中國的任何工廠供應含美國技術的半導體設備，而之前則是美國的設備帶入中國都需要獲得許可。
韓國總統經濟首席秘書崔尚木稱：“韓國半導體企業在中國運營和投資的不確定性已經大大緩解了，它們將能夠冷靜地尋求長期的全球經營戰略。”
據悉，美國已經將該決定通知了三星電子和 SK 海力士，表明已經正式生效。與此同時美國商務部正在更新其 “經過驗證的最終用戶（VEU）” 名單，一旦列入該清單，就無需單獨獲得出口許可。
去年 10 月，美國出臺一系列出口管制措施以限制中國獲取或生產高端芯片，當時三星和 SK 海力士獲得了一年豁免期，本月到期。
盡管美國允許韓國芯片企業在中國的工廠進口美國半導體設備延長一年許可豁免，但是限制措施對三星電子和 SK 海力士的長期戰略部署產生了巨大沖擊，因此中美之間的貿易和科技限制引起韓國企業的擔憂。
韓國經濟高度依賴半導體領域，全球第一和第二大存儲芯片制造商三星和 SK 海力士都在中國的芯片設施投入數十億巨資，中國也是韓國芯片的大客戶。
據悉，三星電子大約 40% 的 NAND 閃存芯片在其位于中國西安的工廠生產，SK 海力士大約 40% 的 DRAM 芯片在無錫生產，20% 的 NAND 閃存芯片在大連生產。
業內分析機構 TrendForce 的統計數據顯示，截至今年 6 月底上述兩家半導體生產商合計控制著全球近 70% 的 DRAM 市場和 50% 的 NAND 閃存市場。
美國對華實施芯片出口限制后，韓國當局一直設法減輕韓國半導體產業受到的沖擊，而今天美國的徹底豁免許可對三星電子和 SK 海力士來說無疑是一個巨大的好消息。
SK 海力士回應稱：“我們歡迎美國政府延長出口管制法規豁免的決定，我們相信這一決定將有助于全球半導體供應鏈的穩定。”
三星也在一份聲明中表示：“通過與相關政府的密切協調，與我們在中國的半導體生產線運營相關的不確定性已大大消除......將繼續密切與所有相關政府保持密切合作，為全球半導體產業維護穩定的供應鏈。”
此外，上個月美國還取締了在美國建廠并獲得聯邦資金的半導體公司在中國擴張的嚴格限制，取消了在中國先進產能投資 10 萬美元的支出上限，這將有效阻止企業獲得聯邦資金來增加 28nm 制程以上芯片的產量。
值得一提的是，近日三星為提振 NAND 閃存芯片市場行情，計劃將于年底之前將 NAND 芯片價格上調至少 10%，最快將于本月開始陸續漲價。
內分析人士認為，年底前 DRAM、NAND 的合約價將會迎來一波大漲，因為三星將會從本月新簽的訂單開始提升價格。
去年下半年開始，高通脹和全球經濟惡化導致芯片市場需求萎靡，全球存儲芯片迎來低谷潮價格一路下跌，去年開始 SK 海力士帶頭宣布減產，三星隨后跟進并于 4 月宣布擴大減產幅度。
今年第一季度三星的 DRAM 芯片銷售 40.1 億美金，同比爆降 61.2%，NAND 芯片銷售降至 29.9 億美金，同比直接腰斬。
由于 NAND 芯片利潤比 DRAM 芯片低，因此三星近來積極推動價格正常化。三星之前表示要在明年第二季度達成 NAND 芯片事業收支打平，因此決定在減產之余還要調漲芯片價格。
業內分析人士認為，目前 DRAM 現貨報價以 DDR5 漲勢最為明顯，主要是庫存較少。盡管 DDR4 庫存水位偏高，但它是 DRAM 的減產重災區，而 DDR5 則需擴大生產，預計明年 DDR5 銷售比重將提升至 30%～40%。
PS：國內內存行業真崛起了，美國同意三星和SK海力士向其中國工廠提供設備。主要還是國內長江存儲的技術已經很優秀了，長江存儲是全球最早突破300層閃存芯片的公司。
