【康沃真空網(wǎng)】 薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)展望
（一）半導(dǎo)體行業(yè)景氣度帶動(dòng)設(shè)備需求增長(zhǎng)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，依托龐大的終端應(yīng)用市場(chǎng)需求，中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模持續(xù)快速增長(zhǎng)，其中集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展尤為迅速，必將帶動(dòng)作為核心設(shè)備額薄膜沉積設(shè)備需求的增加。根據(jù)MaximizeMarketResearch預(yù)計(jì)，全球半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模在2025年將從2020年的172億美元擴(kuò)大至340億美元，保持年復(fù)合13.3%的增長(zhǎng)速度。
（二）晶圓產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)充拉動(dòng)設(shè)備投資增加
根據(jù)SEMI于2020年6月發(fā)布的《全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》，2020年全球新建晶圓廠21座，其中中國(guó)大陸9座、中國(guó)臺(tái)灣5座；2021年全球預(yù)計(jì)開工18個(gè)晶圓廠，其中包括中國(guó)大陸10座、中國(guó)臺(tái)灣3座。新晶圓廠從建立到生產(chǎn)的周期大概為2年，未來(lái)幾年將是中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展期，將帶來(lái)薄膜沉積設(shè)備的需求增長(zhǎng)。
（三）摩爾定律作用促使設(shè)備需求旺盛
摩爾定律推動(dòng)元器件集成度大幅提高，要求集成電路線寬不斷縮小，導(dǎo)致生產(chǎn)技術(shù)與制造工序更加復(fù)雜。當(dāng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)向5納米甚至更小方向升級(jí)時(shí)，普通光刻機(jī)受波長(zhǎng)限制，精度已無(wú)法滿足工藝要求。因此，集成電路的制造需要采用昂貴的極紫外光刻機(jī)，或采用多重曝光工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加，集成電路制造企業(yè)需投入更多且更先進(jìn)的光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備。
（四）薄膜要求提高衍生新設(shè)備需求
在晶圓制造過(guò)程中，薄膜發(fā)揮著形成導(dǎo)電層或絕緣層、阻擋污染物和雜質(zhì)滲透、提高吸光率、阻擋刻蝕等重要作用。由于芯片的線寬越來(lái)越窄、結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，薄膜性能參數(shù)精細(xì)化要求也隨之提高，如先進(jìn)制程的前段工藝對(duì)薄膜均勻性、顆粒數(shù)量控制、金屬污染控制的要求逐步提高，臺(tái)階覆蓋能力強(qiáng)、薄膜厚度控制精準(zhǔn)的ALD設(shè)備，高深寬比溝槽孔洞填充能力強(qiáng)，沉積速度快的SACVD等新設(shè)備因此被引入產(chǎn)線。
（五）先進(jìn)制程增加導(dǎo)致設(shè)備市場(chǎng)攀升
近年來(lái)，晶圓制造的復(fù)雜度和工序量大大提升，以邏輯芯片為例，隨著90nm以下制程的產(chǎn)線數(shù)量增多，尤其是28nm及以下工藝的產(chǎn)線引入多重曝光技術(shù)后，工序數(shù)和設(shè)備數(shù)均大幅提高；在FLASH存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，主流制造工藝已由2DNAND發(fā)展為3DNAND結(jié)構(gòu)，內(nèi)部層數(shù)不斷增高；此外，隨著5G通信技術(shù)、數(shù)據(jù)中心、智慧城市、汽車電子、人工智能等下游市場(chǎng)需求爆發(fā)，用于高性能數(shù)字電路或?qū)Φ凸募呻娐返南冗M(jìn)制程產(chǎn)線占比將進(jìn)一步提高，均將帶來(lái)薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的穩(wěn)步攀升。
全球電子化進(jìn)程的加快導(dǎo)致我國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，國(guó)家半導(dǎo)體行業(yè)鼓勵(lì)政策不斷推出，我國(guó)半導(dǎo)體尤其是集成電路行業(yè)迎來(lái)蓬勃發(fā)展期。同時(shí)，外部挑戰(zhàn)也在倒逼我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提高產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展水平。雖然目前我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備存在自給率低，需求缺口較大，先進(jìn)制程和先進(jìn)工藝設(shè)備與國(guó)際頂尖水平尚存在差距等問(wèn)題，但隨著晶圓廠產(chǎn)能緊缺，國(guó)內(nèi)加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，使國(guó)內(nèi)廠商研發(fā)的半導(dǎo)體專用設(shè)備在本土晶圓產(chǎn)線獲得工藝驗(yàn)證和應(yīng)用機(jī)會(huì)。預(yù)計(jì)在內(nèi)外部因素共同推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生態(tài)圈將逐步完善，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)也將持續(xù)實(shí)現(xiàn)高成長(zhǎng)。
