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真空鍍膜:離子濺射基本原理

  在真空氛圍中,荷能粒子或粒子束入射到固體表面(靶)上,使靶表層原子獲得部分能量,當其動能超過周圍原子形成的勢壘(對于金屬是5eV—lOeV)時,這種原子由從晶格陣點中被碰出來,進入真空中,這種現象謂之濺射。由于離子易于被電磁場加速或偏轉,故真空濺射鍍均選擇離子束轟擊靶材.使其原子被濺射出來沉積到基片上形成薄膜。每個離子濺射產額不僅與入射離子能量、入射角、離子質量有關,同時還與靶材種類、原子序數、靶面原子結合狀態以及結晶取向有關。一般產額為0.1—10(原子離子),大部原子能量小于20eV,并且為中性據多。
  
  原子濺射產額與入射離子能量有關,只有離子能量超過濺射閾值能量時才能發生濺射。當離子能量超過閾值后,隨著離子能量增加,在150eV以前,濺射產額與離子能量平方成正比;在150eV—1keV范圍與離子能量成正比,在1keV~10keV范圍內基本不變。當用惰性氣體氬離子及氖離子轟擊靶材時,由于能量不同,濺射產額亦不同。
  
  表10-8給出了500eV的離子濺射產額。
  
  各種濺射方法鍍膜原理及特點由表10-9給出。

真空鍍膜:離子濺射基本原理
真空鍍膜:離子濺射基本原理
真空鍍膜:離子濺射基本原理
真空鍍膜:離子濺射基本原理

標簽: 真空鍍膜離子濺射  

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