真空鍍膜中,s槍磁控濺射鍍膜不僅具有磁控濺射共同的“低溫”、“高速”的特點，而且由于濺射靶有特殊靶形和冷卻方式，還具有靶材利用率高、膜厚分布均勻、靶功率密度大和易于更換靶材等優點。
　　
　　典型的s槍磁控濺射靶結構如圖10-16所示。它是由倒錐形陰極靶、水冷套、輔助陽極、永磁體、極靴、可拆卸屏蔽環和接地屏蔽罩等構件組成。陰極靶接幾百伏的負電位，鍍膜室壁接地，輔助陽極接地或接幾十伏的正電位，基片通常接地（可以懸浮或偏壓）。環狀磁體在陰極靶表面形成曲線形磁場，與電場構成正交電磁場。電子在電磁場中作擺線加螺旋線的復合運動，導致異常輝光放電。
　　
　　輔助陽極能夠吸收低能電子，減少電子對基片的轟擊。水冷套與靶材之間應具有適當的配合間隙：當靶工作時，由于受熱而緊緊地與水冷套貼在一起，保證散熱效果；當靶不工作時，二者之間保持一定間隙，以便能夠方便地更換靶材。可拆卸屏蔽環能夠防止非靶材構件的濺射，并且可以拆卸下來清除沉積其上的膜層。其余構件的作用與其它磁控靶的構件相同。