等離子體化學(xué)氣相沉積有兩種：
　　
　　一是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積( PECVD)，二是等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)它們都是20世紀(jì)70年代發(fā)展起來的工藝。其特點(diǎn)是：
　　
　　①低溫成膜，溫度對基片影響小，避免了高溫成膜的晶粒粗大及膜層與基片之間生成脆相；
　　
　　②可制備厚膜，膜層成分均勻，針孔小、致密、內(nèi)應(yīng)力小，不易產(chǎn)生微裂紋；
　　
　　③等離子體對基片有清洗作用，增加了膜層的附著力；
　　
　　④在不同基片上制備各種金屬膜，非晶態(tài)無機(jī)物膜、有機(jī)物聚合膜。
　　
　　等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的基本原理是：將被鍍件置于低氣壓輝光放電的陰極上，通入適當(dāng)氣體，在一定溫度下，利用化學(xué)反應(yīng)和離子轟擊相結(jié)合的過程，在工件表面獲得涂層。如果采用TiC4、H2、N2混合氣體，在輝光放電條件下沉積氮化鈦，其沉積過程反應(yīng)是：


　　
　　而氣相物質(zhì)吸收于工件表面并互相間反應(yīng)，z*后形成固相薄膜沉積在工件表面上。
　　
　　除以上的化學(xué)反應(yīng)外，還有復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。
　　
　　反應(yīng)過程中的輝光放電，有兩種作用：
　　
　　①放電中產(chǎn)生的離子清洗了工件表面；
　　
　　②使工件得到均勻加熱。為沉積膜層提供一定的溫度條件。這兩種作用可提高膜層結(jié)合力，加快反應(yīng)速度。