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四極桿質譜儀探測器—連續二次電子倍增器原理

2015-06-23 閱讀

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C-SEM（Figure 6.17）由內部涂有導電層的玻璃管組成，該導電層具有高電阻和低功函數。給該導電層施加高壓，以使整個管長度獲得均勻電壓梯度。四級桿系統的離子按確定路徑被發送到轉換倍增器電極，并產生觸發管內電子雪崩的二次電子。在放大電壓為 2,500 V 時，獲得 106 的電流放大因子。