真空薄膜在電磁波上的用途
1.集成電路
是指被用于半導體工業上的PVD，砒霜鉀等結晶膜上的分子束蒸鍍法，電極布線和絕緣膜的形成的濺鍍方式。另一方面，CVD主要被利用于以下的幾個方面。
是指作為硅外延層，在1000°C以上的高溫CVD上，將硅烷(SiH4)以及硅的鹵化物氣體
(SiH2CI2，SiHCI3等)作為氣體原料的單結晶硅膜。
將硅烷在600?800°C中高溫分解的多晶硅膜。
等離子CVD上的無定形硅(a-Si)膜。
熱CVD和等離子CVD上的，作為絕緣膜使用的二氧化硅(SiO2)膜和氮化硅(Si3N4)膜。
從六氟化鎢(WF6)氣體和硅烷上，像鎢硅化物(WSi2)似的硅化物膜。
從六氟化鎢氣體上氫還原，像鎢(W)膜似的金屬膜。
2.顯示設備
現在的顯示設備上平板顯示面板(FPD：Flat Panel Display)是作為主流的。在FPD的制造上薄膜的制造技術是關鍵的技術。在之前介紹過的透明導電膜以及各種各樣的薄膜都被利用到。
在液晶設備(LCD：Liquid Crystal Display)上，非結晶硅(a-Si：amorphous Silicon)
薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)以及低溫多晶硅(LTPS：Low Temperature
Polycrystalline Silicon)晶體管(TFT)等就是用等離子CVD等做成的。
在等離子體顯示面板的特性上起著重要影響的電極保護膜(MgO)就是用真空鍍膜以及濺鍍設備成膜的。
在有機EL顯示(OLED：Organic Light Emitting Device)上，低分子系的材料是用真空鍍膜成膜的。另外，高分子系的聚合物則是利用了旋涂法或印刷技術。
在冷陰極顯示(FED：Field Emission Display)上，各種各樣的冷陰極的研究在進行著，在這其中最有名的算是碳納米管(CNT：Carbon Nanotube)的冷陰極了。CNT是通過烴類氣體和過渡金屬(Fe，Co，Ni等)產生催化作用，用CVD方法制造而成的。
3.超導薄膜
作為超導體的目標所使用的濺射或激光燒蝕的構成元素是由從多源的蒸發機到單獨蒸發的分子束使其沉積蒸發而成的。
4.磁記錄膜
由于電子槍的原因真空鍍膜主要被用于硬盤濺射，真空蒸發沉積磁帶上。另外，硬盤上具有良好潤滑性能的硬質金剛石碳(DLC：Diamond Like Carbon)的保護膜就是由PVD，
CVD方法制造而成的。
5.光盤
各種的CD光盤和壓縮光盤(CD：Compact Disc，Compact Disk)或數字多功能盤
(DVD：Digital Versatile Disk)上的鋁反射膜都是通過濺射形成的。下述的僅供參考，以前被用在激光盤(LD：Laser Disk)上的鋁反射膜是用真空鍍膜法成膜的。成膜方式不同是由于LD的材料丙烯酸樹脂(PMMA)使濺鍍方式無法形成附著力良好的膜而造成的。
6.彈性表面聲波膜
壓電材料其中的容易形成薄膜的氧化鋅(ZnO)膜是通過濺鍍方式形成的。
7.太陽能電池膜
非晶硅膜通過以下方式獲得分解的等離子CVD的硅烷(SiH4)用氫終止，不參與電子化學鍵(懸掛鍵)。因此，形成膜的其他方式(真空鍍膜法。濺射法等)中的無定形硅不能形成的
P型，N型膜形成方法都成為可能。因此，使用非晶硅的薄膜的太陽能電池已投入實際使用中并實現了太陽能電池的低成本化。
