真空半導體：三星預計將于下周宣布量產3納米芯片！
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2022-06-23 閱讀
【康沃真空網】據韓聯社6月22日消息，三星電子預計將在下周宣布大規模生產3納米芯片，下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around（GAA）技術之上。三星稱，與現有的FinFET工藝相比，該技術將使芯片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。
【康沃真空網】據韓聯社6月22日消息，三星電子預計將在下周宣布大規模生產3納米芯片，下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around（GAA）技術之上。三星稱，與現有的FinFET工藝相比，該技術將使芯片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。