【康沃真空網】隨著近日最新出產的高性能芯片大量使用4nm工藝，不少廠商的3nm制程工藝的產品也被提上日程，正式進入到了測試階段，也預計將在2023年年末就會看到3nm制程的產品面向市場。
就在近日，據相關媒體報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產，并且就現在的進度來看，有望領先其競爭對手三星和英特爾。
據報道可知，臺積電先進制程進展順利，3nm將在今年下半年量產，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產一年后量產，即2023年量產，2nm預計于2025年量產。
臺積電2nm首次采用納米片架構，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%；在相同頻率下，功耗降低25%至30%。
臺積電總裁魏哲家日前在技術論壇中強調，臺積電2nm將會是密度最優、效能最好的技術，并且市場也看好，臺積電2nm進度將領先對手三星及英特爾。
據悉，此前消息稱，雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，鰭片 (Fin) 寬度都已經接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸，所以相關人士預估臺積電2nm先進制程將采用環繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構生產2nm芯片。
前段時間，三星公布了自家的3nm制程工藝已經達到了可以批量生產的標準，因為三星工藝在驍龍888和驍龍8Gen1兩款芯片上的表現并不盡如人意，所以仍有不少相關機構認為臺積電的3nm會優于三星工藝，但目前仍處在相關芯片工藝參數爆料階段，并不能說明最后使用相關工藝的芯片性能有差別。
除臺積電和三星外，英特爾也在這兩年持續在芯片制造方向持續發力，目前雖然還在使用7nm技術，但據相關消息，英特爾已經在多處建立芯片中心，同樣也被爆料將于2025年發布2nm工藝。
作為芯片制造領域目前的極限，2nm工藝可以帶來更強的性能和更好的能耗比表現，感興趣的消費者可以對相關技術工藝報道關注。
