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大連理工大學超高真空雙室共焦多靶磁控濺射系統招標
2018-12-27  閱讀

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  【康沃真空網】一、擬采購的貨物或者服務的說明:

  擬采購一套超高真空雙室共焦多靶磁控濺射系統(ATC-2200-UHV,AJA International,Inc.),用于制備平整的納米級單層及多層先進薄膜材料,如多層磁性異質結、磁性隧道結、合金薄膜、半導體和氧化物薄膜材料等。

  二、采用單一來源采購方式的原因及相關說明:

  大連理工大學物理學院和三束材料改性教育部重點實驗室擬建設一個先進的材料制備平臺,開展新型自旋電子學及先進低維材料物理和器件方面的交叉研究。而開展上述前沿科學研究的基礎是能夠制備高均勻性、高質量的納米級單層和多層磁性以及非磁性薄膜。針對學科研究特點和研究方向需求,我們擬購置一套超高真空雙室共焦多靶磁控濺射系統。該系統具有如下重要性能指標,包括集成靶槍數量、靶槍構型、襯底加熱溫度、薄膜均勻性以及沉積腔極限真空度等:

  性能指標1:沉積腔單腔集成至少10個2英寸超高真空濺射靶槍;靶槍具有共聚焦(8靶)與正濺射(2靶)相結合的獨特構型;靶槍偏轉角度可在真空中原位調節;同一靶槍可以在強磁靶槍和普通磁性靶槍之間轉換工作;強磁靶可做3mm厚磁性材料;靶槍可根據科研需求,配置在平衡,非平衡和磁性材料模式中工作;所有靶槍均采用稀土磁鐵,磁鐵和冷卻水隔離;所有靶槍可以承受200°C烘烤和10-11 Torr真空;

  性能指標2:基片最高加熱溫度850°C,PID溫控精度±1°C;

  性能指標3:在4英寸(100mm)基片范圍內薄膜沉積均勻性優于±1.5%;

  性能指標4:主腔體極限真空優于9x10-9 Torr,采用下游壓力控制;

  經調研,國內類似設備生產廠家生產的高真空磁控濺射系統單腔靶位集成總數量不能滿足需求,缺乏同時具有所需的共聚焦和正濺射的靶槍集成構型,基片加熱溫度、薄膜沉積均勻性和真空度也不能很好滿足技術指標要求。國際上類似設備廠商生產的高真空磁控系統不同在靶槍集成構型和靶槍集成數量上同時滿足性能指標要求,同時薄膜沉積均勻性也達不到指標性能要求。而美國AJA International,Inc.公司的ATC系列磁控濺射設備滿足單腔集成靶槍數量(11個)、靶槍構型(8+3構型)的要求,而且還能同時滿足其它技術指標要求。

  因此,只有AJA International,Inc.公司的超高真空多靶磁控濺射系統產品能夠滿足本項目在單腔集成靶槍數量、靶槍集成構型、基片加熱溫度技術要求的需要,所以申請采用單一來源采購方式進行采購。

  三、開標:2018年12月28日8:30

  聯系人: 陳思穎

  手機:15801679990

  電話:400-103-9990轉829

  傳真:010-52283967

  郵箱:csy@zbytb.com