【康沃真空網(wǎng)】上海滬港建設(shè)咨詢有限公司受招標(biāo)人委托對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo)，于2022-11-28在中國國際招標(biāo)網(wǎng)公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。
1、招標(biāo)條件
項(xiàng)目概況:復(fù)旦大學(xué)離子束刻蝕采購
資金到位或資金來源落實(shí)情況:已到位已落實(shí)
項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說明:已具備招標(biāo)條件
2、招標(biāo)內(nèi)容
招標(biāo)項(xiàng)目編號:2000-224HG2206009
招標(biāo)項(xiàng)目名稱:復(fù)旦大學(xué)離子束刻蝕采購
項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國上海市
招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
| 序號 | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
| 1 | 離子束刻蝕 | 1 | 3、 招標(biāo)人對設(shè)備的要求和技術(shù)規(guī)格 3.1 等離子體刻蝕機(jī) 3.1.1.★主要技術(shù)指標(biāo) 1. 樣品尺寸不小于6英寸； 2. 本底真空優(yōu)于2x10-4Pa（25min），＜2x10-5Pa（極限）； 3. 控溫范圍：要求0~300℃，精度±1℃或更優(yōu)； 3.1.2 其它技術(shù)指標(biāo) 1、真空腔體 (1) 雙腔體真空結(jié)構(gòu)：要求刻蝕工藝腔體及進(jìn)樣室腔體； (2) 要求刻蝕腔體材料為金屬鋁； (3) 要求刻蝕腔體留有觀察窗1個，預(yù)留刻蝕窗數(shù)量≥1； (4) 要求刻蝕腔體頂部留有激光終點(diǎn)監(jiān)測裝置接口； 2、真空系統(tǒng) (1) 工藝腔體配備進(jìn)口分子泵一臺，要求抽速不低于1600 l/s； (2) 要求進(jìn)樣室使用步進(jìn)電機(jī)馬達(dá)移動手臂，自動進(jìn)出片。 ★3、等離子體源 (1) 射頻發(fā)生器：要求功率≤600瓦，達(dá)到13.56MHz，帶自動匹配單元； (2) ICP源發(fā)生器：要求功率≤3千瓦，達(dá)到2.0MHz，帶自動匹配單元； (3) ICP源直徑：要求300mm。 (4) ICP源要求采用螺線圈式構(gòu)型； 4、氣路系統(tǒng) (1) 要求配備不少于8路獨(dú)立的工藝氣體送氣氣路SF6,Ar,O2,CH4,H2,Cl2,N2,BCl3. (2) 要求配備不少于4路無毒氣管及4路有毒氣管及相對應(yīng)的質(zhì)量流量計(jì)； (3) 要求最大容納8路氣體的氣路柜或更優(yōu)，具備排風(fēng)接口。 5、控制系統(tǒng) (1) 要求配有計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)； (2) 要求配有不同用戶權(quán)限級別的設(shè)備控制軟件； (3) 要求設(shè)備控制配備齊全的軟硬件聯(lián)鎖功能，可以檢測相關(guān)部件的運(yùn)行狀態(tài)。 6、下電極 (1) 下電極材質(zhì)：要求Al，尺寸不小于240mm，采用冷水機(jī)制冷和電加熱控溫，要求溫度區(qū)間-0？C~400？C或更優(yōu)。 (2) 處理能力：要求一次處理一片； (3) 固定方式：要求機(jī)械卡盤，配備4、6英寸石英卡盤各1套； (4) 要求具備氦氣背冷功能，采用流體冷卻進(jìn)行溫度控制； 7、要求ALE刻蝕模塊1套；（原子層低損傷刻蝕） 8、要求深度控制：可深度控制，包含終點(diǎn)偵測功能 9、工作條件 (1) 設(shè)備采用中國電壓標(biāo)準(zhǔn)：要求達(dá)到380V/三相或220V/單相。 (2) 要求設(shè)備適用于千級潔凈室內(nèi)安裝使用。 3.1.3工藝驗(yàn)收 1、樣品規(guī)格：要求不少于4英寸或以下規(guī)格的掩模樣片 2、測試儀器：要求有臺階儀。 3、測試方案：要求在適當(dāng)工藝條件下進(jìn)行ICP刻蝕，通過測量一定時間內(nèi)刻蝕前后材料的厚度變化。 4、計(jì)算生長刻蝕速率、選擇比以及刻蝕均勻性。 (1) 均勻性計(jì)算：要求通過臺階儀等測量刻蝕深度值進(jìn)行片內(nèi)和片間均勻性的計(jì)算。 (2) 片內(nèi)均勻性： （單片內(nèi)取上、中、下、左、右五點(diǎn)計(jì)算）。 (3) 片間重復(fù)性： （連續(xù)3個批次，取每個批次的片內(nèi)平均值為一個數(shù)據(jù)點(diǎn)計(jì)算）。 ★3.1.4工藝指標(biāo) Process Reference 1.CMT etch 2.CdTe etch 3.InSb etch 4.ZnO etch Etched material CMT CdTe InSb ZnO Substrate specification Si or GaAs Si or GaAs Si or GaAs Si or GaAs Wafer size 4” 4” or 6” 4” 4” or 6” Feature size / type >10um line or space >10um line or space >10um line or space >10um line or space Assumed etch depth 3-10um < 3um <3um <1um Etch rate >200nm/min >100nm/min >300nm/min >100nm/min Selectivity to mask >5:1 (PR) >3:1(PR) >3:1(SiOx or SiNx) 1:1(PR) Profile >80° >80° >80° >80° Uniformity (within wafer) <±5% <±5% <±5% <±5% Run-to-run <±5% <±5% <±5% <±5% 3.2 原子層刻蝕處理設(shè)備 3.2.1 ★主要技術(shù)指標(biāo) 1 樣品尺寸不小于6英寸； 2 本底真空優(yōu)于2x10-4Pa（25min），＜2x10-5Pa（極限）； 3 控溫范圍：0~300℃，精度優(yōu)于±1℃； 3.2.2 其它技術(shù)指標(biāo)： 1、真空腔體 (1) 雙腔體真空結(jié)構(gòu)：要求刻蝕工藝腔體及進(jìn)樣室腔體； (2) 要求刻蝕腔體材料為金屬鋁； (3) 要求刻蝕腔體留有觀察窗1個，預(yù)留刻蝕窗數(shù)量≥1； (4) 刻蝕腔體頂部留有激光終點(diǎn)監(jiān)測裝置接口； 2、真空系統(tǒng) (1) 工藝腔體配備進(jìn)口分子泵一臺，要求最大抽速不低于1600 l/s； (2) 進(jìn)樣室使用步進(jìn)電機(jī)馬達(dá)移動手臂，要求自動進(jìn)出片。 ★ 3、等離子體源 (1) 射頻發(fā)生器：要求功率≤600瓦，要求13.56MHz，帶自動匹配單元； (2) ICP源發(fā)生器：要求功率≤3千瓦，要求2.0MHz，帶自動匹配單元； (3) ICP源直徑：要求300mm。 (4) ICP源要求采用螺線圈式構(gòu)型； 4、氣路系統(tǒng) (1) 要求不少于8路獨(dú)立的工藝氣體送氣氣路SF6,Ar,O2,CH4,H2,Cl2,N2,BCl3. (2) 要求不少于4路無毒氣管及4路有毒氣管及相對應(yīng)的質(zhì)量流量計(jì)； (3) 要求配置最大容納不少于8路氣體的氣路柜，具備排風(fēng)接口。 5、控制系統(tǒng) (1) 要求配有計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)； (2) 要求配有不同用戶權(quán)限級別的設(shè)備控制軟件； (3) 設(shè)備控制配備齊全的軟硬件聯(lián)鎖功能，應(yīng)能檢測相關(guān)部件的運(yùn)行狀態(tài)。 6、下電極 (1) 下電極材質(zhì)：要求為Al，尺寸不小于240mm，可采用冷水機(jī)制冷和電加熱控溫，要求溫度區(qū)間-0？C~400？C或更優(yōu)。 (2) 處理能力：要求一次處理一片； (3) 固定方式：要求機(jī)械卡盤，配備不少于4、6英寸石英卡盤各1套； (4) 要求具備氦氣背冷功能，不少于采用流體冷卻進(jìn)行溫度控制； 7、 深度控制：要求具有終點(diǎn)偵測功能 8、 要求ALE刻蝕模塊1套；（原子層低損傷刻蝕） 9、工作條件 (1) 要求設(shè)備采用中國電壓標(biāo)準(zhǔn)：不少于380V/三相或220V/單相，達(dá)到50Hz。 (2) 要求設(shè)備適用于千級潔凈室內(nèi)安裝使用。 3.2.3工藝驗(yàn)收 1、樣品規(guī)格：要求達(dá)到4英寸或以下規(guī)格的掩模樣片測試儀器。 2、測試方案：在適當(dāng)工藝條件下進(jìn)行ICP刻蝕，通過測量一定時間內(nèi)刻蝕前后材料的厚度變化。 3、計(jì)算生長刻蝕速率、選擇比以及刻蝕均勻性。 (1) 均勻性計(jì)算：通過臺階儀等測量刻蝕深度值進(jìn)行片內(nèi)和片間均勻性的計(jì)算。 (2) 片內(nèi)均勻性： （單片內(nèi)取上、中、下、左、右五點(diǎn)計(jì)算）。 (3) 片間重復(fù)性： （連續(xù)3個批次，取每個批次的片內(nèi)平均值為一個數(shù)據(jù)點(diǎn)計(jì)算）。 ★3.2.4、工藝指標(biāo) Process Reference CMT etch Etched material CMT Substrate specification Si or GaAs Wafer size 4” Feature size / type >10um line or space Assumed etch depth 3-10um Etch rate >200nm/min Selectivity to mask >5:1 (PR) Profile >80° Uniformity (within wafer) <±5% Run-to-run <±5% |
3、投標(biāo)人資格要求
投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:1）投標(biāo)人應(yīng)為符合《中華人民共和國招標(biāo)投標(biāo)法》規(guī)定的獨(dú)立法人或其他組織；
2）投標(biāo)人應(yīng)為投標(biāo)產(chǎn)品的制造商或其合法代理商，代理商投標(biāo)應(yīng)提供投標(biāo)產(chǎn)品的制造商針對本項(xiàng)目的正式授權(quán)；
3）投標(biāo)人須在投標(biāo)截止期之前在國家商務(wù)部認(rèn)可的機(jī)電產(chǎn)品招標(biāo)投標(biāo)電子交易平臺（以下簡稱機(jī)電產(chǎn)品交易平臺，網(wǎng)址為：http://www.chinabidding.com）上完成有效注冊；
4）本項(xiàng)目不允許聯(lián)合體投標(biāo)。
是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受
未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以
4、招標(biāo)文件的獲取
招標(biāo)文件領(lǐng)購開始時間:2022-11-28
招標(biāo)文件領(lǐng)購結(jié)束時間:2022-12-05
是否在線售賣標(biāo)書:否
獲取招標(biāo)文件方式:現(xiàn)場領(lǐng)購
招標(biāo)文件領(lǐng)購地點(diǎn)：郵件報名 hugangzhaobiao@yeah.net
招標(biāo)文件售價:免費(fèi)
其他說明:有興趣的潛在投標(biāo)人應(yīng)于2022年11月28日起至2022年12月5日16:00止（北京時間），通過郵箱hugangzhaobiao@yeah.net，并電話聯(lián)系招標(biāo)代理機(jī)構(gòu)（聯(lián)系電話：17740887667）獲取采購文件，逾期不再辦理。電子招標(biāo)文件售價零元。未按規(guī)定從招標(biāo)機(jī)構(gòu)處獲取招標(biāo)文件的潛在投標(biāo)人將不得參加投標(biāo)。
5、投標(biāo)文件的遞交
投標(biāo)截止時間（開標(biāo)時間）:2022-12-20 10:00
投標(biāo)文件送達(dá)地點(diǎn):上海市徐匯區(qū)斜土路2358號（車行入口）斜土路2364號（人行入口）7樓會議室
開標(biāo)地點(diǎn):上海市徐匯區(qū)斜土路2358號（車行入口）斜土路2364號（人行入口）7樓會議室
6、投標(biāo)人在投標(biāo)前應(yīng)在必聯(lián)網(wǎng)（https://www.ebnew.com）或機(jī)電產(chǎn)品招標(biāo)投標(biāo)電子交易平臺（https://www.chinabidding.com）完成注冊及信息核驗(yàn)。評標(biāo)結(jié)果將在必聯(lián)網(wǎng)和中國國際招標(biāo)網(wǎng)公示。
7、聯(lián)系方式
招標(biāo)人:復(fù)旦大學(xué)
地址:中國上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號
聯(lián)系人:卜老師
聯(lián)系方式:86-21-65645530
招標(biāo)代理機(jī)構(gòu):上海滬港建設(shè)咨詢有限公司
地址:上海市徐匯區(qū)斜土路2358號（車行入口）斜土路2364號（人行入口）
聯(lián)系人:戚老師、陳老師
聯(lián)系方式:17811909079、17740887667
8、匯款方式:
招標(biāo)代理機(jī)構(gòu)開戶銀行(人民幣):
招標(biāo)代理機(jī)構(gòu)開戶銀行(美元):
賬號(人民幣):
賬號(美元):
