離子束濺射制備₂Te₃熱電薄膜 鄭壯豪 范 平 梁廣興 張東平 蔡興民 深圳大學物理科學與技術學院，薄膜物理與應用研究所 深圳市傳感器技術重點試驗室，深圳，518060 　　本文采用離子束濺射技術交替沉積-Te-多層薄膜后進行高真空熱處理，直接制備2Te3薄膜。利用X射線衍射儀（XRD）、霍爾系數測試儀、臺階儀、EDXS以及自制的薄膜Seebeck系數測量系統對所制備的薄膜的特性進行表征。臺階儀和EDXS測量結果分別表明薄膜厚度基本上保持在200nm左右，原子比接近2：3，富Te；XRD測量結果顯示薄膜的主要衍射峰峰位與2Te3標準衍射峰峰位相同，在（101）/（012）晶向取向明顯，存在較多的Te雜質峰，與EDXS測量結果富Te相符；霍爾系數測試結果表明，薄膜為P型半導體薄膜，與上述富Te結果相符，薄膜電阻率較低，其電導率接近于金屬電導率，載流子濃度量級為1023，具有良好的電學性能；Seebeck系數測量結果顯示薄膜具有良好的熱電性能，在不同條件下制備的薄膜的Seebeck系數在5-60μV/K范圍；在所制備的薄膜中，退火時間為6h、退火溫度為200℃的薄膜其Seebeck系數達到z*大，約為62μV/K，且電阻率z*小。